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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
66
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
22
读取速度,GB/s
2,775.5
17.5
写入速度,GB/s
1,557.9
13.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3169
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
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