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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
66
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
29
读取速度,GB/s
2,775.5
20.8
写入速度,GB/s
1,557.9
16.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3901
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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