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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.7
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,775.5
13.8
写入速度,GB/s
1,557.9
6.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2168
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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