RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston 9905678-028.A00G 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,775.5
15.9
写入速度,GB/s
1,557.9
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2725
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link