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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingston HX421C14FB/4 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Kingston HX421C14FB/4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX421C14FB/4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,775.5
16.8
写入速度,GB/s
1,557.9
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2730
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
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Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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