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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

总分
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 17
    测试中的平均数值
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 66
    左右 -200% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.9 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 8.9
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2623

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBALT 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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内存RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
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