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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
36
读取速度,GB/s
2,775.5
13.6
写入速度,GB/s
1,557.9
9.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
1778
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
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Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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