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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Panram International Corporation M424016 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Panram International Corporation M424016 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation M424016 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
66
左右 -113% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.9
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation M424016 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
31
读取速度,GB/s
2,775.5
12.6
写入速度,GB/s
1,557.9
9.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2035
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
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Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
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