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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,775.5
10.9
写入速度,GB/s
1,557.9
10.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2587
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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