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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,775.5
19.2
写入速度,GB/s
1,557.9
12.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3180
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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