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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
66
左右 -14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
58
读取速度,GB/s
2,775.5
17.7
写入速度,GB/s
1,557.9
9.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
1968
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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