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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
66
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.9
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
31
读取速度,GB/s
2,775.5
21.9
写入速度,GB/s
1,557.9
16.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3805
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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