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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.8
17.7
写入速度,GB/s
7.3
14.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3297
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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