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A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,285.0
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
68
左右 -143% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
28
读取速度,GB/s
4,165.3
17.2
写入速度,GB/s
2,285.0
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
3090
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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