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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
4,937.3
17.1
写入速度,GB/s
2,061.2
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3447
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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