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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
4,937.3
17.0
写入速度,GB/s
2,061.2
13.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3250
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
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