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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
16
46
左右 -188% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
16
读取速度,GB/s
4,937.3
22.2
写入速度,GB/s
2,061.2
17.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3834
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
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