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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
4,937.3
17.0
写入速度,GB/s
2,061.2
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3602
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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