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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.9
4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
4,937.3
9.9
写入速度,GB/s
2,061.2
12.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2572
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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