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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 -10% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
42
读取速度,GB/s
4,937.3
15.5
写入速度,GB/s
2,061.2
14.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3170
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905428-435.A00LF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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