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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
27
读取速度,GB/s
4,937.3
17.3
写入速度,GB/s
2,061.2
15.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3632
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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