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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
27
读取速度,GB/s
4,937.3
18.6
写入速度,GB/s
2,061.2
15.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3561
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
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