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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
4,937.3
17.0
写入速度,GB/s
2,061.2
11.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2912
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
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