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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
4,937.3
22.2
写入速度,GB/s
2,061.2
17.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3871
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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