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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
4,937.3
16.2
写入速度,GB/s
2,061.2
14.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3166
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
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