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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
71
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
71
读取速度,GB/s
4,937.3
15.4
写入速度,GB/s
2,061.2
8.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
1586
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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