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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
4,937.3
11.8
写入速度,GB/s
2,061.2
10.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2605
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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