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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
4,937.3
21.2
写入速度,GB/s
2,061.2
17.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
4043
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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