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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
46
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
18
读取速度,GB/s
4,937.3
17.9
写入速度,GB/s
2,061.2
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3871
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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