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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
4,937.3
15.5
写入速度,GB/s
2,061.2
11.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2924
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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