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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
66
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
66
读取速度,GB/s
4,937.3
15.9
写入速度,GB/s
2,061.2
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
1953
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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