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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9905665-014.A00G 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
4,937.3
15.8
写入速度,GB/s
2,061.2
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2469
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
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