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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9905734-082.A00G 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
4,937.3
18.1
写入速度,GB/s
2,061.2
15.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3600
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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