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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9965669-018.A00G 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
4,937.3
12.1
写入速度,GB/s
2,061.2
8.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2460
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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