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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
76
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.0
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
76
读取速度,GB/s
4,937.3
14.2
写入速度,GB/s
2,061.2
6.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
1453
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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