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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
4,937.3
20.3
写入速度,GB/s
2,061.2
14.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3235
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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