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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
4,937.3
19.3
写入速度,GB/s
2,061.2
15.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3751
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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