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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre 0000 8GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kllisre 0000 8GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kllisre 0000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
49
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 0000 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kllisre 0000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
49
读取速度,GB/s
4,937.3
10.9
写入速度,GB/s
2,061.2
7.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2220
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kllisre 0000 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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