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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
46
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.2
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
39
读取速度,GB/s
4,937.3
8.7
写入速度,GB/s
2,061.2
6.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
1842
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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