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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

总分
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 10.3
    测试中的平均数值
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 46
    左右 -53% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.5 left arrow 2,061.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    4,937.3 left arrow 10.3
  • 写入速度，GB/s
    2,061.2 left arrow 9.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    759 left arrow 1651

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB RAM的比较

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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
内存RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
内存RAM