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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
55
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.3
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
55
读取速度,GB/s
4,937.3
9.3
写入速度,GB/s
2,061.2
7.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2078
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
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