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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
38
读取速度,GB/s
4,937.3
14.0
写入速度,GB/s
2,061.2
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2055
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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