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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 -21% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
38
读取速度,GB/s
4,937.3
14.0
写入速度,GB/s
2,061.2
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2055
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
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