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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
4,937.3
15.3
写入速度,GB/s
2,061.2
12.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2973
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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AMD R538G1601S2LS 8GB
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