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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
4,937.3
14.7
写入速度,GB/s
2,061.2
10.7
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2935
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Mushkin 994093 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
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