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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
4,937.3
17.1
写入速度,GB/s
2,061.2
11.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3110
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
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Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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