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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
4,937.3
12.0
写入速度,GB/s
2,061.2
8.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2034
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905402-532.A00LF 4GB
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