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AMD AE34G1601U1 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
67
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
37
读取速度,GB/s
6.8
21.4
写入速度,GB/s
3.6
14.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3448
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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