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AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
67
左右 -158% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
26
读取速度,GB/s
6.8
14.6
写入速度,GB/s
3.6
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3124
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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