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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

AMD AE34G1601U1 4GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

总分
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AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

总分
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Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD AE34G1601U1 4GB 需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 67
    左右 -131% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.8 left arrow 3.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    67 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    3.6 left arrow 14.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    998 left arrow 3637

AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较

Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
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Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
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内存RAM
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