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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
67
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
30
读取速度,GB/s
6.8
17.4
写入速度,GB/s
3.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3310
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
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